پنل خورشیدی ایرانی:

پنل خورشیدی پرتابل فوتون ساخت ایران میباشد و ازقیمت بمراتب کمتری نسبت به نمونه های خارجی برخوردار است.

پنل خورشیدی فوتون از تولیدات این شرکت(پیشروالکتریک غرب)میباشد.

پنل خورشیدی مسافرتی فوتون کاملا پرتابل و بسادگی قابل حمل است.

پنل خورشیدی سیار فوتون در توانهای ۳۰ وات – ۶۰ وات – ۹۰ وات و ۱۵۰ وات و بنا بر سفارش مشتری در توانهای بالاتر هم توسط این شرکت ارائه میگردد.

پنل پرتابل فوتون از نوع مونو کریستال با بازدهی بالا میباشد.

پنل پرتابل ایرانی فوتون دارای عمر مفید بالای ۲۰ سال است.

قیمت پنل خورشیدی ایرانی

ساختار پنل خورشیدی:

مقدمه:

پنل های خورشیدی که وظیفه تبدیل انرژی تابشی آفتاب به انرژی الکتریکی را دارند متشکل از تعداد زیادی سلول خورشیدی میباشند که در ابتدا به ساختار و روش کار این سلولها به شرح زیر میپردازیم.

با اتصال یک نیمه هادی نوع p به یک نیمه هادی نوع n ، الکترونها از ناحیه n به ناحیه p و حفرهها از ناحیه p به ناحیه n منتقل میشوند.

با انتقال هر الکترون به ناحیهp ، یک یون مثبت در ناحیه n و با انتقال هر حفره به ناحیهn ، یک یون منفی در ناحیه p باقی میماند.

یونهای مثبت و منفی میدان الکتریکی داخلی ایجاد میکنند که جهت آن از ناحیه n به ناحیه p است.

این میدان با انتقال بیشتر باربرها )الکترونها و حفرهها(، قویتر و قویتر شده تا جایی که انتقال خالص باربرها به صفر میرسد.

در این شرایط ترازهای فرمی دو ناحیه با یکدیگر هم سطح شده اند و یک میدان الکتریکی داخلی نیز شکل گرفته است.

اگر در چنین شرایطی، نور خورشید به پیوند بتابد، فوتونهایی که انرژی آنها از انرژی شکاف نیمه هادی بیشتر است، زوج الکترون-حفره تولید کرده و زوجهایی که در ناحیه تهی یا حوالی آن تولید شده اند، شانس زیادی دارند که قبل از ازترکیب، توسط میدان داخلی پیوند از هم جدا شوند.

میدان الکتریکی، الکترونها را به ناحیه n و حفرهها را به ناحیه p سوق میدهد.

به این ترتیب تراکم بار منفی در ناحیه n و تراکم بار مثبت در ناحیه p زیاد میشود.

این تراکم بار، به شکل ولتاژی در دو سر پیوند قابل اندازه گیری است.

اگر دو سر پیوند با یک سیم، به یکدیگر اتصال کوتاه شود، الکترونهای اضافی ناحیهn ، از طریق سیم به ناحیه p رفته و جریان اتصال کوتاهی را شکل میدهند.

اگر به جای سیم از یک مصرف کننده استفاده شود، عبور جریان از مصرف کننده، به آن انرژی میدهد.

به این ترتیب انرژی فوتونهای نور خورشید به انرژی الکتریکی تبدیل میشود.

هر چه میدان الکتریکی درون پیوند قویتر باشد، ولتاژ مدار باز بزرگتری بدست میآید.

برای دست یافتن به یک میدان الکتریکی بزرگ، باید اختلاف ترازهای فرمی دو ماده p و n از یکدیگر زیاد باشد.

برای این منظور باید انرژی شکاف نیمه هادی بزرگ انتخاب شود.

بنابراین ولتاژ مدار باز یک سلول خورشیدی با انرژی شکاف آن افزایش مییابد.

اما افزایش انرژی شکاف سبب میشود، فوتونهای کمتری توانایی تولید زوج الکترون-حفره داشته باشند و بنابراین جریان اتصال کوتاه کمتری نیز تولید شود.

بنابراین افزایش انرژی شکاف، روی ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه سلول دو اثر متفاوت دارد.

برای استفاده از سلول ها در مدار های الکتریکی نیاز هست تا مشخصه ی الکتریکی ولتاژ- جریان یک سلول خورشیدی را داشته باشیم.

این مشخصه را می توان از طریق مدار زیر بدست آورد، کافی است چند نقطه از منحنی مشخصه را بدست آورده و آن را در نرم افزار های ریاضی ترسیم نمود.

این مشخصه الکتریکی به شدت نور تابیده شده ، بستگی دارد و منحنی مشخصه آن بسته به شدت نور تغییر می کند و این تغییر به گونه ایست باعث افزایش جریان اتصال کوتاه می شود.

در نهایت می توان برای یک سلول خورشیدی یک مدل الکتریکی از اِلمان اصلی مانند خازن ،مقاومت و منابع مستقل بدست آورد و به جای سلول در مدارهای الکتریکی پیچیده قرار داده و مدار را توسط شبیه ساز های الکتریکی تحلیل کرد.

ولتاژی که یک سلول در برابر شدت نور نامی تولید می کند در حدود نیم ولت و جریان اتصال کوتاه آن می تواند از محدوده میلی آمپر تا چندین آمپر تغییر کند.

حداکثر توان تولیدی یک سلول برابر حاصل ضرب ولتاژ مدار باز در جریان اتصال کوتاه می باشد که با این حساب توان تولیدی نامی سلول مشخص می شود.

بنابراین توان تولیدی یک سلول نوعی از محدوده ی چند میلی وات تا چند وات تغییر خواهد کرد.

یکی از عواملی که در توان تولیدی سلول تاثیر گذار هست ، اندازه سطح سلول می باشد و هر چه مساحت سلول بیشتر باشد ، توان تولیدی نیز بیشتر خواهد بود.

توان تولیدی علاوه بر سطح به شدت نور نیز بستگی دارد و با افزایش شدت نور ،توان تولیدی افزایش می یابد.

دمای سلول باعث کاهش ولتاژ پیوند دیودی سلول شده و باعث کاهش توان تولیدی می گردد ولی تاثیر آن ، شدید نبوده و گاهی قابل اعماض نیز هست.